ZXMS6005DGTA Артикул: 279000 Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2А; 1,3Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 504 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 26 70 250 500 Без НДС: 71.88 грн. 50.06 грн. 44.02 грн. 35.17 грн. 33.20 грн. 32.31 грн. 31.99 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,3Вт; 1.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,2Ом; 0.2Ом;
Технология:	IntelliFET™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate; logic level;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2А; 1,3Вт; SOT223.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2А, 1, 3Вт, SOT223