|
|
ZXMP6A13FQTAАртикул: 0870018 Транзистор: N-MOSFET; полевой. Производитель: DIODES INCORPORATED |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1838 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Pulsed drain current: | -4А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 2,9нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,806Вт |
| Применение: | автомобильная отрасль |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 0,6Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -0,9А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой