ZXMN6A07FTA Артикул: 244450 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,1А; 0,806Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1284 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 108 297 Без НДС: 35.45 грн. 26.10 грн. 19.48 грн. 17.19 грн. 8.21 грн. 7.77 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.806Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,806Вт; 0.806Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,35Ом; 350мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,1А; 1.1А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,1А; 0,806Вт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1, 1А, 0, 806Вт, SOT23.