ZXMN3A01FTA Артикул: 244449 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 4665 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 71 195 3000 Без НДС: 37.68 грн. 24.12 грн. 12.48 грн. 11.84 грн. 11.78 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.806Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,806Вт; 0.806Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,18Ом; 180мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,6А; 1.6А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1, 6А, 0, 806Вт, SOT23.