|
|
ZXMN2B01FTAАртикул: 403218 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2405 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Pulsed drain current: | 11,8А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,625Вт; 625мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,1Ом; 100мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 2,1А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET