|
|
ZXMN10A11KTCАртикул: 278987 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
4,06Вт; 4.06Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,45Ом; 0.45Ом; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
3,1А; 3.1А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3, 1А, 4, 06Вт, TO252