ZXMHC10A07N8TC Артикул: 282796 Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; комплементарная пара; 0,87Вт. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2054 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 21 56 100 500 Без НДС: 63.61 грн. 53.56 грн. 44.14 грн. 41.73 грн. 41.66 грн. 40.14 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Конструкция диода:	общий источник
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100/-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,87Вт; 0.87Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,9/1,45Ом; 0.9/1.45Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N/P-MOSFET x2
Тип транзистора:	комплементарная пара
Ток стока:	0,9/-0,7А; 0.9/-0.7А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	MOSFET H-Bridge
PDF:

Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; комплементарная пара; 0,87Вт.

Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N/P-MOSFET x2, полевой, комплементарная пара, 0, 87Вт