|
|
YJS12N10AАртикул: 279952 Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; SOP8. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOP8 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 120А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 80нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 3,3Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 17мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 7,6А |
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; SOP8.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, SOP8