|
|
YJQ4666BАртикул: 279947 Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 10 Минимальный заказ позиции: 20 |
Кол-во: 1500 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | DFN2020-6 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | -28А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
7,2нC; 7.2нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±10В |
| Напряжение сток-исток: | -16В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
2,2Вт; 2.2Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 60мОм |
| Технология: | TRENCH POWER LV |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-5,6А; -5.6А; |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5, 6А, 2, 2Вт