|
|
YJG15N15BАртикул: 490976 Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 15А; 29Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DFN5x6 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 50А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 11,6нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 150В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 29Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 75мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 15А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 15А; 29Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 150В, 15А, 29Вт