|
|
WMO10N80M3Артикул: 276010 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252. Производитель: CYG |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2147 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: |
CYG WAYON; WAYON; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 85Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,03Ом; 1.03Ом; |
| Технология: |
SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 10А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252.
Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 10А, 85Вт, TO252.