WMO10N60C2 Артикул: 276007 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252. Производитель: CYG		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1601 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 40 108 Без НДС: 34.41 грн. 30.52 грн. 27.27 грн. 23.50 грн. 22.21 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	WAYON
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	57Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	690мОм
Технология:	WMOS™ C2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252.

Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET C2, полевой, 600В, 8А, 57Вт, TO252.