|
|
VS-GT100DA120UFАртикул: 0912609 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 3 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | VISHAY |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Технология: | Trench |
| Тип полупроводникового модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 100А |
| Ток коллектора в импульсе: | 240А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | integrated anti-parallel diode |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B.
Теги: Модули IGBT, VISHAY, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 100А, SOT227B