(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Артикул: 0406867


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
8437


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 38 103
Без НДС: 77.59 грн. 53.23 грн. 24.24 грн. 22.93 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -200А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 300нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±8В
Напряжение сток-исток: -20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 36Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 4,5мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -50А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD