(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3

Артикул: 0757473


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
5096


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 35 96
Без НДС: 62.22 грн. 42.35 грн. 26.00 грн. 24.63 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -80А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 126нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 33Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 11мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -35А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD