(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Артикул: 0757494


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
3000


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 51 140
Без НДС: 58.83 грн. 43.33 грн. 30.10 грн. 17.92 грн. 16.94 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -70А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 110нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 33Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 13,2мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -18А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD