(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Артикул: 0406862


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2815


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 36 99 500
Без НДС: 44.30 грн. 32.18 грн. 25.28 грн. 23.91 грн. 23.45 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 30А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 12нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 10Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 24мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 12А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD