(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Артикул: 0758473


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2982


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 26 69
Без НДС: 46.58 грн. 43.65 грн. 41.31 грн. 36.29 грн. 34.27 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 50А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 28нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±25В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 2,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 14,5мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 12,2А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD