(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRC16DP-T1-GE3

SIRC16DP-T1-GE3

Артикул: 0758378


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2937


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 16 44
Без НДС: 99.68 грн. 83.39 грн. 74.27 грн. 56.68 грн. 53.42 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 250А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 105нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 25В
Полярность: полевой
Потери мощности: 34,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 1,4мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Ток стока: 60А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD