(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

Артикул: 0757412


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2410


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 18 50 1000 1500
Без НДС: 141.38 грн. 98.38 грн. 50.82 грн. 48.21 грн. 47.56 грн. 46.26 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 400А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 153нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 1,15мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 100А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD