(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

Артикул: 0757555


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2989


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 53 144 1000
Без НДС: 38.63 грн. 28.99 грн. 17.40 грн. 16.42 грн. 16.03 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 90А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 14нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 11Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 12мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 30А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD