(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Артикул: 0757179


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2677


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 64 176
Без НДС: 42.54 грн. 32.84 грн. 28.14 грн. 14.20 грн. 13.42 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 70А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 21,5нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 9,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 13,5мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 24,5А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD