(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Артикул: 0757651


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2441


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 69 1000
Без НДС: 76.68 грн. 55.57 грн. 51.21 грн. 36.35 грн. 34.40 грн. 33.42 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 140А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 51нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 26Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 5мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 60А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD