(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Артикул: 0757212


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1975


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 27 74 3000
Без НДС: 87.24 грн. 63.26 грн. 33.94 грн. 32.05 грн. 31.40 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 80А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 77нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -16...20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 40Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 3,5мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 40А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD