(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3

Артикул: 0809793


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1740


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 14 37 250 500
Без НДС: 123.13 грн. 89.26 грн. 67.76 грн. 63.85 грн. 61.89 грн. 61.24 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 400А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 135нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 104Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 2,1мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 186А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD