(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3

Артикул: 0809675


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
788


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 30 82 1000
Без НДС: 83.26 грн. 58.83 грн. 49.45 грн. 30.56 грн. 28.86 грн. 28.67 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 150А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 48нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 57Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 6,3мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 80,3А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD