(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Артикул: 0406814


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2885


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 17 47 3000
Без НДС: 173.95 грн. 122.48 грн. 54.07 грн. 51.47 грн. 50.82 грн.
Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 40А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 27нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 22мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 6,2А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD