|
|
SI7308DN-T1-GE3Артикул: 483395 Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 6А; Idm: 20А; 12,7Вт. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 3000 Минимальный заказ позиции: 3000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerPAK® 1212-8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 20А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 13нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 12,7Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 72мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 6А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 6А; Idm: 20А; 12,7Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 60В, 6А, Idm: 20А, 12, 7Вт