(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Артикул: 0701553


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
160


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 72 198
Без НДС: 38.11 грн. 25.60 грн. 12.64 грн. 11.99 грн.
Корпус: SO8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -32А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 28нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 4,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 30мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -12,6А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD