(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Артикул: 0819734


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
248


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 60 163
Без НДС: 55.25 грн. 39.03 грн. 30.75 грн. 15.31 грн. 14.53 грн.
Корпус: TSOP6
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -8А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 12нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 288мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -2,9А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD