(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Артикул: 0406742


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1429


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 40 110 3000 6000
Без НДС: 61.31 грн. 47.30 грн. 22.87 грн. 21.63 грн. 21.11 грн. 20.78 грн.
Корпус: TSOP6
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 10А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 11нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 128мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 4,1А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD