(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Артикул: 0819236


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
17


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 100 114 313
Без НДС: 32.58 грн. 22.15 грн. 13.68 грн. 8.01 грн. 7.56 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 20А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 13нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±12В
Напряжение сток-исток: 40В
Полярность: полевой
Потери мощности: 1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 70мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 4,3А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD