SI2324DS-T1-GE3 Артикул: 275760 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 11416 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 53 100 144 500 Без НДС: 23.27 грн. 20.51 грн. 19.56 грн. 17.30 грн. 16.61 грн. 16.35 грн. 15.73 грн. 15.10 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	2,9нC; 2.9нC;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,6Вт; 1.6Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,234Ом; 0.234Ом; 234мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,8А; 1.8А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 1, 8А, 1, 6Вт, SOT23.