(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Артикул: 0826036


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2891


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 96 264 6000 9000
Без НДС: 32.05 грн. 23.45 грн. 17.46 грн. 9.51 грн. 8.99 грн. 8.86 грн. 8.73 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -15А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 19нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -40В
Полярность: полевой
Потери мощности: 1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 0,1Ом
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -3,6А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD