IRFD9210PBF Артикул: 0093679 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -400мА; 1Вт; DIP4 Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1975 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 35 95 200 500 1000 Без НДС: 83.85 грн. 69.97 грн. 60.72 грн. 46.78 грн. 26.39 грн. 24.95 грн. 24.89 грн. 24.30 грн. 24.17 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DIP4
Производитель:	VISHAY
Заряд затвора:	8,9нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	3Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-250мА
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -400мА; 1Вт; DIP4

Теги: VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -400мА, 1Вт, DIP4