|
|
UJ3C065080B3Артикул: 284522 Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А. Производитель: UNITEDSIC |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | UnitedSiC |
| Заряд затвора: | 51нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±25В |
| Напряжение сток-исток: | 650В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 115Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 80мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип транзистора: | N-JFET/N-MOSFET |
| Тип транзистора: | каскодный |
| Ток стока: |
18,2А; 18.2А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, UNITEDSIC, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET, SiC, полевой, каскодный, 650В, 18, 2А