ZXMP10A17E6TA Артикул: 215792 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,3А; 1,1Вт; SOT26. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2255 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 38 103 1000 Без НДС: 59.70 грн. 47.36 грн. 23.81 грн. 22.47 грн. 22.41 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT26
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,45Ом; 0.45Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-1,3А; -1.3А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,3А; 1,1Вт; SOT26.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -1, 3А, 1, 1Вт, SOT26.