|
|
YJQ15GP10AАртикул: 493668 Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; -100В; -9,5А. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 5000 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | DFN3.3x3.3 EP |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | -45А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 3,98нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 17,2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 120мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -9,5А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; -100В; -9,5А.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: P-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, -100В, -9, 5А