|
|
SI3429EDV-T1-GE3Артикул: 483393 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 3000 Минимальный заказ позиции: 3000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TSOP6 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -40А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 43,2нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | -20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2,7Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 38мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -8А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, Idm: -40А, 2, 7Вт, TSOP6