SI2377EDS-T1-GE3 Артикул: 283635 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1502 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 69 190 1000 Без НДС: 36.28 грн. 29.28 грн. 25.97 грн. 12.86 грн. 12.09 грн. 12.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	7,6нC; 7.6нC;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,061Ом; 0.061Ом; 61мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-3,5А; -3.5А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3, 5А, 1, 1Вт, SOT23