SI2333DDS-T1-GE3 Артикул: 483392 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2584 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 72 198 1000 Без НДС: 32.98 грн. 27.53 грн. 24.36 грн. 12.31 грн. 11.67 грн. 11.23 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
Pulsed drain current:	-20А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	35нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-12В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	150мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-5,2А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -12В, -5, 2А, Idm: -20А, 1, 1Вт, SOT23