|
|
DMP56D0UFB-7BАртикул: 282701 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,2А; 0,425Вт; X1-DFN1006-3. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 10000 Минимальный заказ позиции: 10000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | X1-DFN1006-3 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | -50В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,425Вт; 0.425Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 6Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-0,2А; -0.2А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,2А; 0,425Вт; X1-DFN1006-3.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -50В, -0, 2А, 0, 425Вт, X1-DFN1006-3