LGE3M80120B Артикул: 892301 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 28А, Idm: 80А, 208Вт