LGE3M30065Q Артикул: 888445 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 650В, 54А, Idm: 170А, 300Вт