LGE3M25120Q Артикул: 892300 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 60А, Idm: 200А, 370Вт