|
|
LET9120Артикул: 207399 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 18А; 200Вт; M246; 18дБ; 70%. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | M246 |
| Производитель: |
ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics; |
| Вид упаковки: |
россыпью; туба; |
| Выходная мощность: | 150Вт |
| Кол-во в упаковке: | 20шт. |
| КПД: | 70% |
| Механический монтаж: | винтами |
| Мощность: | 200Вт |
| Напряжение сток-исток: | 80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 200Вт |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Тип транзистора: | RF |
| Ток стока: | 18А |
| Усиление: | 18дБ |
| Частота: | 860МГц |
| Электрический монтаж: |
FASTON connectors; THT; коннекторы FASTON; наконечники FASTON; под пайку; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 18А; 200Вт; M246; 18дБ; 70%.
Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 18А, 200Вт, M246, 18дБ, 70%.