(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF640NPBF

IRF640NPBF

Артикул: 093212


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
671


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 39 105
Без НДС: 74.77 грн. 56.59 грн. 45.11 грн. 23.22 грн. 22.01 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 44,7нC;
44.7нC;
Монтаж: THT
Мощность: 150Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 200В
Полярность: полевой
Потери мощности: 150Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 0,15Ом;
150мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 1К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: HEXFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 18А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0