APT56F60LАртикул: 434735 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; Idm: 210А; 1,04кВт; TO264. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
| Корпус: | TO264 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 210А |
| Заряд затвора: | 280нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,04кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 110мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 38А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; Idm: 210А; 1,04кВт; TO264.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 38А, Idm: 210А, 1, 04кВт, TO264

