(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Артикул: 278924


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8.

Производитель: VISHAY


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
6872


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 59 163
Без НДС: 63.78 грн. 49.46 грн. 35.58 грн. 15.02 грн. 14.19 грн.
Корпус: SO8
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 7,3нC;
7.3нC;
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 3,2Вт;
3.2Вт;
Сопротивление в открытом состоянии: 0,014Ом;
0.014Ом;
14мОм;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 11,2А;
11.2А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 11, 2А, 3, 2Вт, SO8