(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Артикул: 261609


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23.

Производитель: VISHAY


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
359


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 91 250
Без НДС: 35.58 грн. 28.13 грн. 24.82 грн. 9.74 грн. 9.23 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 8,8нC;
8.8нC;
Монтаж: SMD
Мощность: 1.3Вт
Напряжение затвор-исток: ±8В
Напряжение сток-исток: 20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 1,3Вт;
1.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии: 0,0414Ом;
0.0414Ом;
41,4мОм;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 5,1А;
5.1А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 5, 1А, 1, 3Вт, SOT23.